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来源：新浪证券 - 红岸工作室6 月 17 日消息，国家知识产权局信息显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为 " 一种金属钛层的沉积工艺 " 的专利。申请公布号为 CN122214841A，申请号为 CN202510559967.1，申请公布日期为 2026 年 6 月 16 日，申请日期为 2025 年 4 月 29 日，发明人沈成绪、许灿，专利代理机构上海元好知识产权代理有限公司，专利代理师贾慧琴、张静洁，分类号 C23C16/505、C23C16/14、C23C16/56、C23C16/52。专利摘要显示，本发明公开了一种金属钛层的沉积工艺，包含：将一基片置于半导体处理设备的反应腔中，所述基片具有若干由侧壁与底部界定的开口；沉积步骤：向所述反应腔中通入钛源前驱体及还原气体，在射频源作用下，所述钛源前驱体与所述还原气体解离，发生化学反应，在所述开口的侧壁与底部沉积金属钛层；刻蚀步骤：关闭所述射频源，向所述反应腔中通入刻蚀气体，所述刻蚀气体与所述金属钛层发生化学反应，使所述金属钛层厚度减薄；N 次循环进行所述沉积步骤、刻蚀步骤，直到所述金属钛层达到设定厚度及设定的台阶覆盖率。本发明通过 N 次循环进行的沉积步骤、刻蚀步骤，可以实现在复杂的三维结构中形成的金属钛层的厚度和台阶覆盖率均能达到工艺要求。天眼查数据显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司成立日期 2004 年 5 月 31 日，法定代表人尹志尧，所属行业为专用设备制造业，企业规模为大型，注册资本 62614.5307 万人民币，实缴资本 62691.781 万人民币，注册地址为上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路 188 号。中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了 30 家企业，参与招投标项目 86 次，财产线索方面有商标信息 114 条，专利信息 1706 条，拥有行政许可 88 个。中微半导体设备（上海）股份有限公司近期专利情况如下：

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刚刚信息部门通报重大更新:,华纳公司注册：解析全球知名娱乐巨头的成长之路

华纳公司，作为全球知名的娱乐巨头，其发展历程充满了传奇色彩。从一家小型出版社到如今涵盖电影、音乐、电视等多元化业务的娱乐帝国，华纳公司的成长之路离不开其注册过程的精心策划与稳步推进。本文将为您详细解析华纳公司注册的历程及其背后的故事。 一、华纳公司的起源 华纳公司的前身是成立于1923年的华纳兄弟电影公司，由哈里·华纳、阿尔伯特·华纳、山姆·华纳和杰克·华纳四兄弟共同创立。最初，这家公司只是一个小型出版社，主要出版书籍和杂志。然而，在20世纪20年代，随着电影业的兴起，华纳兄弟迅速转型，开始涉足电影制作。 二、华纳公司的注册过程 1. 公司名称注册 在创立之初，华纳兄弟四兄弟便意识到公司名称的重要性。经过一番深思熟虑，他们最终决定将公司命名为“华纳兄弟”。为了确保公司名称的独特性和合法性，他们进行了详细的查询和注册，确保了公司名称的合法使用权。 2. 公司注册地选择 在注册公司时，华纳兄弟选择了美国加利福尼亚州洛杉矶作为公司注册地。这里不仅拥有丰富的电影资源，而且地理位置优越，便于公司拓展业务。此外，洛杉矶还是好莱坞的所在地，有利于华纳公司融入当地的电影产业。 3. 公司组织架构 在注册过程中，华纳兄弟明确了公司的组织架构，包括董事会、监事会、总经理等职位。他们还制定了公司章程，明确了公司治理结构、股东权益、利润分配等事项。 4. 公司经营范围 在注册过程中，华纳兄弟明确了公司的经营范围，包括电影制作、发行、放映，以及音乐、电视等多元化业务。这一明确的公司经营范围为华纳公司未来的发展奠定了基础。 三、华纳公司的成长历程 1. 电影业的崛起 华纳公司在注册后，迅速投身于电影制作。通过一系列成功的电影作品，如《乱世佳人》、《摩登时代》等，华纳公司在电影界崭露头角。此后，公司不断拓展业务，涉足电影发行、放映等领域，成为电影产业的领军企业。 2. 多元化发展 在电影业取得成功的基础上，华纳公司开始向多元化方向发展。他们收购了音乐公司、电视网络，涉足电视节目制作、发行等领域。如今，华纳公司已成为全球最大的娱乐集团之一。 3. 国际化布局 为了进一步拓展市场，华纳公司积极进行国际化布局。他们在全球范围内设立分支机构，与当地企业合作，将华纳的业务推向全球。 总之，华纳公司的注册过程为其未来的发展奠定了坚实的基础。从一家小型出版社到全球娱乐巨头，华纳公司的成长之路充满了挑战与机遇。如今，华纳公司正以其强大的实力，继续在全球娱乐产业中发挥着重要作用。

来源：新浪证券 - 红岸工作室6 月 17 日消息，国家知识产权局信息显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为 " 一种金属钛层的沉积工艺 " 的专利。申请公布号为 CN122214841A，申请号为 CN202510559967.1，申请公布日期为 2026 年 6 月 16 日，申请日期为 2025 年 4 月 29 日，发明人沈成绪、许灿，专利代理机构上海元好知识产权代理有限公司，专利代理师贾慧琴、张静洁，分类号 C23C16/505、C23C16/14、C23C16/56、C23C16/52。专利摘要显示，本发明公开了一种金属钛层的沉积工艺，包含：将一基片置于半导体处理设备的反应腔中，所述基片具有若干由侧壁与底部界定的开口；沉积步骤：向所述反应腔中通入钛源前驱体及还原气体，在射频源作用下，所述钛源前驱体与所述还原气体解离，发生化学反应，在所述开口的侧壁与底部沉积金属钛层；刻蚀步骤：关闭所述射频源，向所述反应腔中通入刻蚀气体，所述刻蚀气体与所述金属钛层发生化学反应，使所述金属钛层厚度减薄；N 次循环进行所述沉积步骤、刻蚀步骤，直到所述金属钛层达到设定厚度及设定的台阶覆盖率。本发明通过 N 次循环进行的沉积步骤、刻蚀步骤，可以实现在复杂的三维结构中形成的金属钛层的厚度和台阶覆盖率均能达到工艺要求。天眼查数据显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司成立日期 2004 年 5 月 31 日，法定代表人尹志尧，所属行业为专用设备制造业，企业规模为大型，注册资本 62614.5307 万人民币，实缴资本 62691.781 万人民币，注册地址为上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路 188 号。中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了 30 家企业，参与招投标项目 86 次，财产线索方面有商标信息 114 条，专利信息 1706 条，拥有行政许可 88 个。中微半导体设备（上海）股份有限公司近期专利情况如下：