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,中微公司申请钛层沉积工艺相关专利,循环沉积、刻蚀使金属钛层达工艺要求,很高兴为您解答这个问题,让我来帮您详细说明一下。
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来源:新浪证券 - 红岸工作室6 月 17 日消息,国家知识产权局信息显示,中微半导体设备(上海)股份有限公司申请一项名为 " 一种金属钛层的沉积工艺 " 的专利。申请公布号为 CN122214841A,申请号为 CN202510559967.1,申请公布日期为 2026 年 6 月 16 日,申请日期为 2025 年 4 月 29 日,发明人沈成绪、许灿,专利代理机构上海元好知识产权代理有限公司,专利代理师贾慧琴、张静洁,分类号 C23C16/505、C23C16/14、C23C16/56、C23C16/52。专利摘要显示,本发明公开了一种金属钛层的沉积工艺,包含:将一基片置于半导体处理设备的反应腔中,所述基片具有若干由侧壁与底部界定的开口;沉积步骤:向所述反应腔中通入钛源前驱体及还原气体,在射频源作用下,所述钛源前驱体与所述还原气体解离,发生化学反应,在所述开口的侧壁与底部沉积金属钛层;刻蚀步骤:关闭所述射频源,向所述反应腔中通入刻蚀气体,所述刻蚀气体与所述金属钛层发生化学反应,使所述金属钛层厚度减薄;N 次循环进行所述沉积步骤、刻蚀步骤,直到所述金属钛层达到设定厚度及设定的台阶覆盖率。本发明通过 N 次循环进行的沉积步骤、刻蚀步骤,可以实现在复杂的三维结构中形成的金属钛层的厚度和台阶覆盖率均能达到工艺要求。天眼查数据显示,中微半导体设备(上海)股份有限公司成立日期 2004 年 5 月 31 日,法定代表人尹志尧,所属行业为专用设备制造业,企业规模为大型,注册资本 62614.5307 万人民币,实缴资本 62691.781 万人民币,注册地址为上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路 188 号。中微半导体设备(上海)股份有限公司共对外投资了 30 家企业,参与招投标项目 86 次,财产线索方面有商标信息 114 条,专利信息 1706 条,拥有行政许可 88 个。中微半导体设备(上海)股份有限公司近期专利情况如下:刚刚应急团队公布处置方案,,华纳公司开户教程:轻松掌握开户流程,开启金融新篇章,很高兴为您解答这个问题,让我来帮您详细说明一下:
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随着金融市场的不断发展,越来越多的企业和个人开始关注华纳公司的开户服务。华纳公司作为一家知名的金融服务机构,其开户流程简洁明了,服务优质。本文将为您科普关于华纳公司开户的教程,帮助您轻松掌握开户流程,开启金融新篇章。 一、了解华纳公司 华纳公司是一家专业从事金融服务的机构,业务范围涵盖银行、证券、保险等多个领域。公司秉承“客户至上、专业服务”的理念,致力于为客户提供全方位、个性化的金融服务。华纳公司开户业务旨在为客户提供便捷、高效的金融服务,满足客户多样化的金融需求。 二、开户条件 1. 年满18周岁,具有完全民事行为能力的自然人; 2. 持有有效身份证件; 3. 具有良好的信用记录; 4. 满足华纳公司规定的其他条件。 三、开户流程 1. 网上预约 登录华纳公司官方网站,点击“开户”按钮,按照提示完成网上预约。预约成功后,您将收到预约成功的短信通知。 2. 准备材料 根据预约成功短信中的提示,准备好以下材料: (1)本人有效身份证件; (2)填写完整的开户申请表; (3)银行卡(用于绑定账户); (4)其他可能需要的材料。 3. 预约开户 携带准备好的材料,前往华纳公司指定网点进行开户。网点工作人员将协助您完成开户手续。 4. 签署协议 在网点工作人员的指导下,签署相关协议,包括但不限于《开户协议》、《风险揭示书》等。 5. 开户成功 签署协议后,网点工作人员将为您办理开户手续。开户成功后,您将收到华纳公司发送的账户信息短信。 四、注意事项 1. 开户时,请确保提供的个人信息真实、准确,以便后续办理业务; 2. 开户过程中,请妥善保管好身份证件、银行卡等重要物品; 3. 开户后,请定期登录华纳公司官方网站或手机APP,了解账户信息及业务动态; 4. 如遇问题,请及时联系华纳公司客服,获取帮助。 总结: 通过以上教程,相信您已经对华纳公司开户流程有了全面的了解。开户过程中,请务必遵循相关规定,确保账户安全。华纳公司期待与您携手共创美好未来!
来源:新浪证券 - 红岸工作室6 月 17 日消息,国家知识产权局信息显示,中微半导体设备(上海)股份有限公司申请一项名为 " 一种金属钛层的沉积工艺 " 的专利。申请公布号为 CN122214841A,申请号为 CN202510559967.1,申请公布日期为 2026 年 6 月 16 日,申请日期为 2025 年 4 月 29 日,发明人沈成绪、许灿,专利代理机构上海元好知识产权代理有限公司,专利代理师贾慧琴、张静洁,分类号 C23C16/505、C23C16/14、C23C16/56、C23C16/52。专利摘要显示,本发明公开了一种金属钛层的沉积工艺,包含:将一基片置于半导体处理设备的反应腔中,所述基片具有若干由侧壁与底部界定的开口;沉积步骤:向所述反应腔中通入钛源前驱体及还原气体,在射频源作用下,所述钛源前驱体与所述还原气体解离,发生化学反应,在所述开口的侧壁与底部沉积金属钛层;刻蚀步骤:关闭所述射频源,向所述反应腔中通入刻蚀气体,所述刻蚀气体与所述金属钛层发生化学反应,使所述金属钛层厚度减薄;N 次循环进行所述沉积步骤、刻蚀步骤,直到所述金属钛层达到设定厚度及设定的台阶覆盖率。本发明通过 N 次循环进行的沉积步骤、刻蚀步骤,可以实现在复杂的三维结构中形成的金属钛层的厚度和台阶覆盖率均能达到工艺要求。天眼查数据显示,中微半导体设备(上海)股份有限公司成立日期 2004 年 5 月 31 日,法定代表人尹志尧,所属行业为专用设备制造业,企业规模为大型,注册资本 62614.5307 万人民币,实缴资本 62691.781 万人民币,注册地址为上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路 188 号。中微半导体设备(上海)股份有限公司共对外投资了 30 家企业,参与招投标项目 86 次,财产线索方面有商标信息 114 条,专利信息 1706 条,拥有行政许可 88 个。中微半导体设备(上海)股份有限公司近期专利情况如下:
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