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来源：新浪证券 - 红岸工作室6 月 17 日消息，国家知识产权局信息显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为 " 一种金属钛层的沉积工艺 " 的专利。申请公布号为 CN122214841A，申请号为 CN202510559967.1，申请公布日期为 2026 年 6 月 16 日，申请日期为 2025 年 4 月 29 日，发明人沈成绪、许灿，专利代理机构上海元好知识产权代理有限公司，专利代理师贾慧琴、张静洁，分类号 C23C16/505、C23C16/14、C23C16/56、C23C16/52。专利摘要显示，本发明公开了一种金属钛层的沉积工艺，包含：将一基片置于半导体处理设备的反应腔中，所述基片具有若干由侧壁与底部界定的开口；沉积步骤：向所述反应腔中通入钛源前驱体及还原气体，在射频源作用下，所述钛源前驱体与所述还原气体解离，发生化学反应，在所述开口的侧壁与底部沉积金属钛层；刻蚀步骤：关闭所述射频源，向所述反应腔中通入刻蚀气体，所述刻蚀气体与所述金属钛层发生化学反应，使所述金属钛层厚度减薄；N 次循环进行所述沉积步骤、刻蚀步骤，直到所述金属钛层达到设定厚度及设定的台阶覆盖率。本发明通过 N 次循环进行的沉积步骤、刻蚀步骤，可以实现在复杂的三维结构中形成的金属钛层的厚度和台阶覆盖率均能达到工艺要求。天眼查数据显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司成立日期 2004 年 5 月 31 日，法定代表人尹志尧，所属行业为专用设备制造业，企业规模为大型，注册资本 62614.5307 万人民币，实缴资本 62691.781 万人民币，注册地址为上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路 188 号。中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了 30 家企业，参与招投标项目 86 次，财产线索方面有商标信息 114 条，专利信息 1706 条，拥有行政许可 88 个。中微半导体设备（上海）股份有限公司近期专利情况如下：

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本月官方渠道传达政策动向:,揭秘东方明珠网址：探索这座璀璨明珠的数字世界

东方明珠，这座矗立在上海市陆家嘴金融贸易区的标志性建筑，以其独特的建筑风格和璀璨的夜景，成为了上海的象征。然而，除了这座实体建筑，东方明珠还有着另一个重要的存在——东方明珠网址。今天，就让我们一起来揭秘东方明珠网址，探索这座璀璨明珠的数字世界。 东方明珠网址，顾名思义，是东方明珠官方网站的域名。这个网址承载着东方明珠的丰富信息，为游客提供了便捷的在线服务。通过访问这个网址，我们可以了解到东方明珠的历史、文化、旅游、娱乐等多方面的信息。 首先，东方明珠网址为我们介绍了这座建筑的历史背景。东方明珠塔始建于1995年，1999年对外开放。它是上海的地标性建筑，也是中国现代建筑艺术的代表之一。在网站上，我们可以了解到东方明珠塔的设计理念、建筑特色以及它所蕴含的文化内涵。 其次，东方明珠网址提供了丰富的旅游信息。作为上海著名的旅游景点，东方明珠塔每年吸引着无数游客前来观光。在网站上，我们可以了解到东方明珠塔的开放时间、门票价格、游览路线等实用信息。此外，网站还介绍了周边的旅游景点，如上海中心大厦、金茂大厦等，方便游客规划行程。 除了旅游信息，东方明珠网址还提供了丰富的娱乐活动信息。在网站上，我们可以了解到东方明珠塔举办的各类活动，如灯光秀、音乐会、展览等。这些活动不仅丰富了市民的文化生活，也为游客提供了更多娱乐选择。 值得一提的是，东方明珠网址还提供了在线购票服务。游客可以通过网站轻松购买东方明珠塔的门票，避免了现场排队购票的麻烦。此外，网站还推出了电子门票，方便游客携带和验证。 除了上述功能，东方明珠网址还具备以下特点： 1. 界面友好：网站设计简洁大方，操作便捷，用户可以轻松找到所需信息。 2. 多语言支持：网站提供中、英、日、韩等多语言版本，方便不同国家的游客访问。 3. 移动端适配：网站针对移动设备进行了优化，用户可以在手机、平板电脑等设备上顺畅浏览。 4. 实时更新：网站内容实时更新，确保游客获取最新信息。 总之，东方明珠网址是了解东方明珠、规划旅游行程、获取娱乐信息的重要平台。在这个数字世界里，我们可以感受到这座璀璨明珠的魅力，体验到上海的城市风采。让我们一起探索东方明珠的数字世界，感受这座城市的活力与魅力。

来源：新浪证券 - 红岸工作室6 月 17 日消息，国家知识产权局信息显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为 " 一种金属钛层的沉积工艺 " 的专利。申请公布号为 CN122214841A，申请号为 CN202510559967.1，申请公布日期为 2026 年 6 月 16 日，申请日期为 2025 年 4 月 29 日，发明人沈成绪、许灿，专利代理机构上海元好知识产权代理有限公司，专利代理师贾慧琴、张静洁，分类号 C23C16/505、C23C16/14、C23C16/56、C23C16/52。专利摘要显示，本发明公开了一种金属钛层的沉积工艺，包含：将一基片置于半导体处理设备的反应腔中，所述基片具有若干由侧壁与底部界定的开口；沉积步骤：向所述反应腔中通入钛源前驱体及还原气体，在射频源作用下，所述钛源前驱体与所述还原气体解离，发生化学反应，在所述开口的侧壁与底部沉积金属钛层；刻蚀步骤：关闭所述射频源，向所述反应腔中通入刻蚀气体，所述刻蚀气体与所述金属钛层发生化学反应，使所述金属钛层厚度减薄；N 次循环进行所述沉积步骤、刻蚀步骤，直到所述金属钛层达到设定厚度及设定的台阶覆盖率。本发明通过 N 次循环进行的沉积步骤、刻蚀步骤，可以实现在复杂的三维结构中形成的金属钛层的厚度和台阶覆盖率均能达到工艺要求。天眼查数据显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司成立日期 2004 年 5 月 31 日，法定代表人尹志尧，所属行业为专用设备制造业，企业规模为大型，注册资本 62614.5307 万人民币，实缴资本 62691.781 万人民币，注册地址为上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路 188 号。中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了 30 家企业，参与招投标项目 86 次，财产线索方面有商标信息 114 条，专利信息 1706 条，拥有行政许可 88 个。中微半导体设备（上海）股份有限公司近期专利情况如下：