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来源：新浪证券 - 红岸工作室6 月 17 日消息，国家知识产权局信息显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为 " 一种金属钛层的沉积工艺 " 的专利。申请公布号为 CN122214841A，申请号为 CN202510559967.1，申请公布日期为 2026 年 6 月 16 日，申请日期为 2025 年 4 月 29 日，发明人沈成绪、许灿，专利代理机构上海元好知识产权代理有限公司，专利代理师贾慧琴、张静洁，分类号 C23C16/505、C23C16/14、C23C16/56、C23C16/52。专利摘要显示，本发明公开了一种金属钛层的沉积工艺，包含：将一基片置于半导体处理设备的反应腔中，所述基片具有若干由侧壁与底部界定的开口；沉积步骤：向所述反应腔中通入钛源前驱体及还原气体，在射频源作用下，所述钛源前驱体与所述还原气体解离，发生化学反应，在所述开口的侧壁与底部沉积金属钛层；刻蚀步骤：关闭所述射频源，向所述反应腔中通入刻蚀气体，所述刻蚀气体与所述金属钛层发生化学反应，使所述金属钛层厚度减薄；N 次循环进行所述沉积步骤、刻蚀步骤，直到所述金属钛层达到设定厚度及设定的台阶覆盖率。本发明通过 N 次循环进行的沉积步骤、刻蚀步骤，可以实现在复杂的三维结构中形成的金属钛层的厚度和台阶覆盖率均能达到工艺要求。天眼查数据显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司成立日期 2004 年 5 月 31 日，法定代表人尹志尧，所属行业为专用设备制造业，企业规模为大型，注册资本 62614.5307 万人民币，实缴资本 62691.781 万人民币，注册地址为上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路 188 号。中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了 30 家企业，参与招投标项目 86 次，财产线索方面有商标信息 114 条，专利信息 1706 条，拥有行政许可 88 个。中微半导体设备（上海）股份有限公司近期专利情况如下：

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在繁华的都市中，东方明珠作为上海的标志性建筑，不仅以其独特的建筑风格吸引了无数游客，更是以其提供的便捷高效的服务，赢得了广大顾客的青睐。今天，就让我们一起来了解东方明珠现场上下分直属办理业务，感受这一优质服务的魅力。 东方明珠塔位于上海市浦东新区，是上海市的地标性建筑之一。自1995年对外开放以来，东方明珠塔已经成为国内外游客参观游览的热门景点。在游览过程中，游客们不仅可以欣赏到上海的城市美景，还可以通过现场上下分直属办理业务，轻松完成各种消费支付。 一、现场上下分直属办理业务的便利性 1. 简便快捷：游客只需在东方明珠现场，找到指定的办理窗口，出示有效证件，即可办理上下分业务。整个过程无需排队等候，大大节省了游客的时间。 2. 支付方式多样：现场上下分直属办理业务支持多种支付方式，包括现金、银行卡、支付宝、微信支付等，满足了不同游客的需求。 3. 服务范围广泛：现场上下分直属办理业务不仅涵盖东方明珠塔内的消费支付，还支持游客在周边商家消费时的支付需求。 二、直属办理业务的优势 1. 保障游客权益：直属办理业务由东方明珠塔官方负责，确保了游客的资金安全，避免了因第三方支付平台问题而导致的资金损失。 2. 提高服务质量：直属办理业务由专业人员进行操作，确保了业务的准确性和高效性，为游客提供优质的服务体验。 3. 优化资源配置：直属办理业务减少了游客对第三方支付平台的依赖，降低了运营成本，使得东方明珠塔能够将更多资源投入到提升游客体验上。 三、直属办理业务的办理流程 1. 游客在办理窗口出示有效证件，如身份证、护照等。 2. 工作人员核实游客身份信息，确认无误后，为游客办理上下分业务。 3. 游客选择支付方式，完成支付后，即可获得相应的分值。 4. 游客在东方明珠塔内消费时，只需在消费终端输入分值即可完成支付。 总之，东方明珠现场上下分直属办理业务以其便捷、高效、安全的特点，为广大游客提供了优质的消费体验。在未来的发展中，东方明珠将继续努力，不断提升服务质量，为游客带来更加美好的旅游时光。

来源：新浪证券 - 红岸工作室6 月 17 日消息，国家知识产权局信息显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为 " 一种金属钛层的沉积工艺 " 的专利。申请公布号为 CN122214841A，申请号为 CN202510559967.1，申请公布日期为 2026 年 6 月 16 日，申请日期为 2025 年 4 月 29 日，发明人沈成绪、许灿，专利代理机构上海元好知识产权代理有限公司，专利代理师贾慧琴、张静洁，分类号 C23C16/505、C23C16/14、C23C16/56、C23C16/52。专利摘要显示，本发明公开了一种金属钛层的沉积工艺，包含：将一基片置于半导体处理设备的反应腔中，所述基片具有若干由侧壁与底部界定的开口；沉积步骤：向所述反应腔中通入钛源前驱体及还原气体，在射频源作用下，所述钛源前驱体与所述还原气体解离，发生化学反应，在所述开口的侧壁与底部沉积金属钛层；刻蚀步骤：关闭所述射频源，向所述反应腔中通入刻蚀气体，所述刻蚀气体与所述金属钛层发生化学反应，使所述金属钛层厚度减薄；N 次循环进行所述沉积步骤、刻蚀步骤，直到所述金属钛层达到设定厚度及设定的台阶覆盖率。本发明通过 N 次循环进行的沉积步骤、刻蚀步骤，可以实现在复杂的三维结构中形成的金属钛层的厚度和台阶覆盖率均能达到工艺要求。天眼查数据显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司成立日期 2004 年 5 月 31 日，法定代表人尹志尧，所属行业为专用设备制造业，企业规模为大型，注册资本 62614.5307 万人民币，实缴资本 62691.781 万人民币，注册地址为上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路 188 号。中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了 30 家企业，参与招投标项目 86 次，财产线索方面有商标信息 114 条，专利信息 1706 条，拥有行政许可 88 个。中微半导体设备（上海）股份有限公司近期专利情况如下：