,华纳公司新任负责人上任，引领未来影视发展新篇章

,中微公司申请钛层沉积工艺相关专利,循环沉积、刻蚀使金属钛层达工艺要求，很高兴为您解答这个问题，让我来帮您详细说明一下。

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来源：新浪证券 - 红岸工作室6 月 17 日消息，国家知识产权局信息显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为 " 一种金属钛层的沉积工艺 " 的专利。申请公布号为 CN122214841A，申请号为 CN202510559967.1，申请公布日期为 2026 年 6 月 16 日，申请日期为 2025 年 4 月 29 日，发明人沈成绪、许灿，专利代理机构上海元好知识产权代理有限公司，专利代理师贾慧琴、张静洁，分类号 C23C16/505、C23C16/14、C23C16/56、C23C16/52。专利摘要显示，本发明公开了一种金属钛层的沉积工艺，包含：将一基片置于半导体处理设备的反应腔中，所述基片具有若干由侧壁与底部界定的开口；沉积步骤：向所述反应腔中通入钛源前驱体及还原气体，在射频源作用下，所述钛源前驱体与所述还原气体解离，发生化学反应，在所述开口的侧壁与底部沉积金属钛层；刻蚀步骤：关闭所述射频源，向所述反应腔中通入刻蚀气体，所述刻蚀气体与所述金属钛层发生化学反应，使所述金属钛层厚度减薄；N 次循环进行所述沉积步骤、刻蚀步骤，直到所述金属钛层达到设定厚度及设定的台阶覆盖率。本发明通过 N 次循环进行的沉积步骤、刻蚀步骤，可以实现在复杂的三维结构中形成的金属钛层的厚度和台阶覆盖率均能达到工艺要求。天眼查数据显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司成立日期 2004 年 5 月 31 日，法定代表人尹志尧，所属行业为专用设备制造业，企业规模为大型，注册资本 62614.5307 万人民币，实缴资本 62691.781 万人民币，注册地址为上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路 188 号。中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了 30 家企业，参与招投标项目 86 次，财产线索方面有商标信息 114 条，专利信息 1706 条，拥有行政许可 88 个。中微半导体设备（上海）股份有限公司近期专利情况如下：

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近日调查组公开关键证据本:,华纳公司新任负责人上任，引领未来影视发展新篇章

近日，华纳公司宣布了一项重大人事变动，新任负责人正式上任。这一举措不仅标志着华纳公司进入了一个新的发展阶段，也为整个影视行业带来了新的期待和挑战。新任负责人将如何带领华纳公司走向辉煌？本文将为您揭晓。 华纳公司，作为全球知名的娱乐巨头，拥有丰富的影视资源，旗下拥有众多知名电影和电视剧。然而，在近年来，华纳公司面临着市场竞争加剧、盈利能力下降等多重压力。在这样的背景下，新任负责人的上任无疑为华纳公司注入了一剂强心针。 新任负责人具有丰富的行业经验和卓越的管理能力。在加入华纳公司之前，他曾在多家知名影视公司担任高管，对影视行业的运作有着深刻的了解。此次上任，他将为华纳公司带来全新的管理理念和运营策略。 首先，新任负责人将致力于提升华纳公司的创新能力。在影视行业竞争日益激烈的今天，创新成为了企业生存和发展的关键。他计划通过加大研发投入，推动华纳公司旗下电影和电视剧的题材、制作、营销等方面的创新，以满足观众日益多样化的需求。 其次，新任负责人将强化华纳公司的国际化战略。在全球影视市场日益一体化的背景下，华纳公司需要进一步拓展国际市场，提升品牌影响力。他计划通过加强与国际合作伙伴的合作，引进更多优质海外资源，推动华纳公司旗下作品在全球范围内的传播。 此外，新任负责人还将关注华纳公司旗下员工的成长和发展。他认为，企业的发展离不开人才的支撑。因此，他将加大对员工的培训力度，提高员工的专业素养和团队协作能力，为华纳公司的长远发展奠定坚实基础。 面对新的挑战，新任负责人表示，他将带领华纳公司全体员工，坚定信心，锐意进取，为实现公司战略目标而努力。以下是新任负责人对未来华纳公司发展的展望： 1. 持续提升创新能力，打造更多具有国际影响力的优质作品。 2. 深化国际化战略，拓展海外市场，提升品牌价值。 3. 加强人才培养，打造一支高素质、高效率的团队。 4. 积极履行社会责任，推动影视行业健康发展。 总之，新任负责人的上任为华纳公司带来了新的希望。在未来的日子里，华纳公司有望在影视行业再创辉煌。让我们共同期待，华纳公司在新任负责人的带领下，书写新的篇章。

来源：新浪证券 - 红岸工作室6 月 17 日消息，国家知识产权局信息显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为 " 一种金属钛层的沉积工艺 " 的专利。申请公布号为 CN122214841A，申请号为 CN202510559967.1，申请公布日期为 2026 年 6 月 16 日，申请日期为 2025 年 4 月 29 日，发明人沈成绪、许灿，专利代理机构上海元好知识产权代理有限公司，专利代理师贾慧琴、张静洁，分类号 C23C16/505、C23C16/14、C23C16/56、C23C16/52。专利摘要显示，本发明公开了一种金属钛层的沉积工艺，包含：将一基片置于半导体处理设备的反应腔中，所述基片具有若干由侧壁与底部界定的开口；沉积步骤：向所述反应腔中通入钛源前驱体及还原气体，在射频源作用下，所述钛源前驱体与所述还原气体解离，发生化学反应，在所述开口的侧壁与底部沉积金属钛层；刻蚀步骤：关闭所述射频源，向所述反应腔中通入刻蚀气体，所述刻蚀气体与所述金属钛层发生化学反应，使所述金属钛层厚度减薄；N 次循环进行所述沉积步骤、刻蚀步骤，直到所述金属钛层达到设定厚度及设定的台阶覆盖率。本发明通过 N 次循环进行的沉积步骤、刻蚀步骤，可以实现在复杂的三维结构中形成的金属钛层的厚度和台阶覆盖率均能达到工艺要求。天眼查数据显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司成立日期 2004 年 5 月 31 日，法定代表人尹志尧，所属行业为专用设备制造业，企业规模为大型，注册资本 62614.5307 万人民币，实缴资本 62691.781 万人民币，注册地址为上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路 188 号。中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了 30 家企业，参与招投标项目 86 次，财产线索方面有商标信息 114 条，专利信息 1706 条，拥有行政许可 88 个。中微半导体设备（上海）股份有限公司近期专利情况如下：