,华纳公司直属会员开户指南:轻松开启您的会员之旅
,中微公司申请钛层沉积工艺相关专利,循环沉积、刻蚀使金属钛层达工艺要求,很高兴为您解答这个问题,让我来帮您详细说明一下。
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来源:新浪证券 - 红岸工作室6 月 17 日消息,国家知识产权局信息显示,中微半导体设备(上海)股份有限公司申请一项名为 " 一种金属钛层的沉积工艺 " 的专利。申请公布号为 CN122214841A,申请号为 CN202510559967.1,申请公布日期为 2026 年 6 月 16 日,申请日期为 2025 年 4 月 29 日,发明人沈成绪、许灿,专利代理机构上海元好知识产权代理有限公司,专利代理师贾慧琴、张静洁,分类号 C23C16/505、C23C16/14、C23C16/56、C23C16/52。专利摘要显示,本发明公开了一种金属钛层的沉积工艺,包含:将一基片置于半导体处理设备的反应腔中,所述基片具有若干由侧壁与底部界定的开口;沉积步骤:向所述反应腔中通入钛源前驱体及还原气体,在射频源作用下,所述钛源前驱体与所述还原气体解离,发生化学反应,在所述开口的侧壁与底部沉积金属钛层;刻蚀步骤:关闭所述射频源,向所述反应腔中通入刻蚀气体,所述刻蚀气体与所述金属钛层发生化学反应,使所述金属钛层厚度减薄;N 次循环进行所述沉积步骤、刻蚀步骤,直到所述金属钛层达到设定厚度及设定的台阶覆盖率。本发明通过 N 次循环进行的沉积步骤、刻蚀步骤,可以实现在复杂的三维结构中形成的金属钛层的厚度和台阶覆盖率均能达到工艺要求。天眼查数据显示,中微半导体设备(上海)股份有限公司成立日期 2004 年 5 月 31 日,法定代表人尹志尧,所属行业为专用设备制造业,企业规模为大型,注册资本 62614.5307 万人民币,实缴资本 62691.781 万人民币,注册地址为上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路 188 号。中微半导体设备(上海)股份有限公司共对外投资了 30 家企业,参与招投标项目 86 次,财产线索方面有商标信息 114 条,专利信息 1706 条,拥有行政许可 88 个。中微半导体设备(上海)股份有限公司近期专利情况如下:统一服务管理平台,智能监控质量,,华纳公司直属会员开户指南:轻松开启您的会员之旅,很高兴为您解答这个问题,让我来帮您详细说明一下:
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可视化故障排除专线,实时监测数据:,华纳公司直属会员开户指南:轻松开启您的会员之旅
在当今社会,各类会员服务层出不穷,为消费者提供了丰富的选择。华纳公司作为一家知名企业,其直属会员服务更是备受瞩目。那么,如何成为华纳公司的直属会员并成功开户呢?本文将为您详细解答。 一、了解华纳公司直属会员权益 在开户之前,我们先来了解一下华纳公司直属会员的权益。华纳公司直属会员享有以下优惠: 1. 优先购买权:会员可优先购买华纳公司推出的各类产品和服务。 2. 专属折扣:会员在购买华纳公司产品或服务时,可享受专属折扣。 3. 定期活动参与权:会员可免费参加华纳公司举办的各类活动。 4. 会员积分制度:会员消费可累积积分,积分可用于兑换礼品或抵扣现金。 二、开户条件 成为华纳公司直属会员,您需要满足以下条件: 1. 年满18周岁; 2. 拥有中国大陆有效身份证; 3. 拥有稳定的收入来源; 4. 具备良好的信用记录。 三、开户流程 1. 准备材料:身份证、银行卡、手机号码等。 2. 选择开户方式:目前,华纳公司直属会员开户主要有以下几种方式: a. 线上开户:登录华纳公司官方网站,按照提示填写相关信息,提交申请即可。 b. 线下开户:前往华纳公司指定网点,提交相关材料,工作人员将为您办理开户手续。 c. 电话开户:拨打华纳公司客服电话,按照客服人员的指引进行操作。 3. 提交申请:根据所选开户方式,提交相关材料。线上开户需上传身份证、银行卡等电子版材料;线下开户需携带相关证件到指定网点;电话开户需提供身份证号码、银行卡号码等信息。 4. 审核通过:华纳公司审核您的申请,审核通过后,您将成为华纳公司直属会员。 5. 开户成功:收到华纳公司发送的开户成功短信或邮件,即可享受会员权益。 四、注意事项 1. 请确保提供的个人信息真实有效,以免影响开户进度。 2. 开户过程中,如遇到问题,请及时联系华纳公司客服。 3. 开户成功后,请妥善保管会员账号和密码,避免泄露。 4. 会员权益如有变动,请关注华纳公司官方公告。 总之,成为华纳公司直属会员并成功开户,只需按照以上流程操作即可。抓住机会,开启您的会员之旅,尽享华纳公司带来的优质服务吧!
来源:新浪证券 - 红岸工作室6 月 17 日消息,国家知识产权局信息显示,中微半导体设备(上海)股份有限公司申请一项名为 " 一种金属钛层的沉积工艺 " 的专利。申请公布号为 CN122214841A,申请号为 CN202510559967.1,申请公布日期为 2026 年 6 月 16 日,申请日期为 2025 年 4 月 29 日,发明人沈成绪、许灿,专利代理机构上海元好知识产权代理有限公司,专利代理师贾慧琴、张静洁,分类号 C23C16/505、C23C16/14、C23C16/56、C23C16/52。专利摘要显示,本发明公开了一种金属钛层的沉积工艺,包含:将一基片置于半导体处理设备的反应腔中,所述基片具有若干由侧壁与底部界定的开口;沉积步骤:向所述反应腔中通入钛源前驱体及还原气体,在射频源作用下,所述钛源前驱体与所述还原气体解离,发生化学反应,在所述开口的侧壁与底部沉积金属钛层;刻蚀步骤:关闭所述射频源,向所述反应腔中通入刻蚀气体,所述刻蚀气体与所述金属钛层发生化学反应,使所述金属钛层厚度减薄;N 次循环进行所述沉积步骤、刻蚀步骤,直到所述金属钛层达到设定厚度及设定的台阶覆盖率。本发明通过 N 次循环进行的沉积步骤、刻蚀步骤,可以实现在复杂的三维结构中形成的金属钛层的厚度和台阶覆盖率均能达到工艺要求。天眼查数据显示,中微半导体设备(上海)股份有限公司成立日期 2004 年 5 月 31 日,法定代表人尹志尧,所属行业为专用设备制造业,企业规模为大型,注册资本 62614.5307 万人民币,实缴资本 62691.781 万人民币,注册地址为上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路 188 号。中微半导体设备(上海)股份有限公司共对外投资了 30 家企业,参与招投标项目 86 次,财产线索方面有商标信息 114 条,专利信息 1706 条,拥有行政许可 88 个。中微半导体设备(上海)股份有限公司近期专利情况如下:
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