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来源:新浪证券 - 红岸工作室6 月 17 日消息,国家知识产权局信息显示,中微半导体设备(上海)股份有限公司申请一项名为 " 一种金属钛层的沉积工艺 " 的专利。申请公布号为 CN122214841A,申请号为 CN202510559967.1,申请公布日期为 2026 年 6 月 16 日,申请日期为 2025 年 4 月 29 日,发明人沈成绪、许灿,专利代理机构上海元好知识产权代理有限公司,专利代理师贾慧琴、张静洁,分类号 C23C16/505、C23C16/14、C23C16/56、C23C16/52。专利摘要显示,本发明公开了一种金属钛层的沉积工艺,包含:将一基片置于半导体处理设备的反应腔中,所述基片具有若干由侧壁与底部界定的开口;沉积步骤:向所述反应腔中通入钛源前驱体及还原气体,在射频源作用下,所述钛源前驱体与所述还原气体解离,发生化学反应,在所述开口的侧壁与底部沉积金属钛层;刻蚀步骤:关闭所述射频源,向所述反应腔中通入刻蚀气体,所述刻蚀气体与所述金属钛层发生化学反应,使所述金属钛层厚度减薄;N 次循环进行所述沉积步骤、刻蚀步骤,直到所述金属钛层达到设定厚度及设定的台阶覆盖率。本发明通过 N 次循环进行的沉积步骤、刻蚀步骤,可以实现在复杂的三维结构中形成的金属钛层的厚度和台阶覆盖率均能达到工艺要求。天眼查数据显示,中微半导体设备(上海)股份有限公司成立日期 2004 年 5 月 31 日,法定代表人尹志尧,所属行业为专用设备制造业,企业规模为大型,注册资本 62614.5307 万人民币,实缴资本 62691.781 万人民币,注册地址为上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路 188 号。中微半导体设备(上海)股份有限公司共对外投资了 30 家企业,参与招投标项目 86 次,财产线索方面有商标信息 114 条,专利信息 1706 条,拥有行政许可 88 个。中微半导体设备(上海)股份有限公司近期专利情况如下:本周数据平台本月监管部门通报最新动态,,柬埔寨万宝路公司经理联系方式:探寻东南亚烟草行业的领军者,很高兴为您解答这个问题,让我来帮您详细说明一下:
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柬埔寨,这个充满异域风情的热带国家,近年来在烟草行业的发展中逐渐崭露头角。作为全球知名烟草品牌,万宝路在柬埔寨的布局尤为引人注目。那么,柬埔寨万宝路公司的经理联系方式又是怎样的呢?本文将带您深入了解柬埔寨万宝路公司及其经理的联系方式。 一、柬埔寨万宝路公司简介 万宝路公司成立于1881年,总部位于美国,是全球最大的烟草公司之一。其产品遍布全球,深受消费者喜爱。在东南亚地区,万宝路公司一直致力于拓展市场,提升品牌影响力。柬埔寨作为东南亚的重要市场之一,万宝路公司在此地的业务发展迅速。 二、柬埔寨万宝路公司经理背景 柬埔寨万宝路公司的经理是一位经验丰富的烟草行业从业者。他拥有多年的市场营销和企业管理经验,对烟草行业的发展趋势有着深刻的洞察力。在担任柬埔寨万宝路公司经理期间,他带领团队不断开拓市场,提升品牌形象,使万宝路在柬埔寨市场占有率逐年攀升。 三、柬埔寨万宝路公司经理联系方式 为了更好地服务于客户和合作伙伴,柬埔寨万宝路公司经理的联系方式如下: 电话:[经理电话号码] 邮箱:[经理邮箱地址] 如果您想了解柬埔寨万宝路公司的最新动态、寻求合作机会或者咨询相关问题,都可以通过以上联系方式与经理取得联系。 四、柬埔寨万宝路公司未来发展 在柬埔寨万宝路公司经理的带领下,公司将继续秉持“创新、品质、责任”的理念,不断拓展市场,提升品牌形象。以下是柬埔寨万宝路公司未来发展的几个方向: 1. 加强品牌建设,提升品牌知名度; 2. 深化市场调研,满足消费者需求; 3. 积极参与社会责任活动,回馈社会; 4. 拓展产品线,丰富产品种类。 五、结语 柬埔寨万宝路公司经理的联系方式为我们了解该公司提供了便利。在今后的日子里,相信在经理的带领下,柬埔寨万宝路公司将继续在东南亚烟草行业发挥领军作用,为消费者带来更多优质的产品和服务。如果您对柬埔寨万宝路公司感兴趣,不妨通过以上联系方式与他们取得联系,共同见证这个品牌的辉煌历程。
来源:新浪证券 - 红岸工作室6 月 17 日消息,国家知识产权局信息显示,中微半导体设备(上海)股份有限公司申请一项名为 " 一种金属钛层的沉积工艺 " 的专利。申请公布号为 CN122214841A,申请号为 CN202510559967.1,申请公布日期为 2026 年 6 月 16 日,申请日期为 2025 年 4 月 29 日,发明人沈成绪、许灿,专利代理机构上海元好知识产权代理有限公司,专利代理师贾慧琴、张静洁,分类号 C23C16/505、C23C16/14、C23C16/56、C23C16/52。专利摘要显示,本发明公开了一种金属钛层的沉积工艺,包含:将一基片置于半导体处理设备的反应腔中,所述基片具有若干由侧壁与底部界定的开口;沉积步骤:向所述反应腔中通入钛源前驱体及还原气体,在射频源作用下,所述钛源前驱体与所述还原气体解离,发生化学反应,在所述开口的侧壁与底部沉积金属钛层;刻蚀步骤:关闭所述射频源,向所述反应腔中通入刻蚀气体,所述刻蚀气体与所述金属钛层发生化学反应,使所述金属钛层厚度减薄;N 次循环进行所述沉积步骤、刻蚀步骤,直到所述金属钛层达到设定厚度及设定的台阶覆盖率。本发明通过 N 次循环进行的沉积步骤、刻蚀步骤,可以实现在复杂的三维结构中形成的金属钛层的厚度和台阶覆盖率均能达到工艺要求。天眼查数据显示,中微半导体设备(上海)股份有限公司成立日期 2004 年 5 月 31 日,法定代表人尹志尧,所属行业为专用设备制造业,企业规模为大型,注册资本 62614.5307 万人民币,实缴资本 62691.781 万人民币,注册地址为上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路 188 号。中微半导体设备(上海)股份有限公司共对外投资了 30 家企业,参与招投标项目 86 次,财产线索方面有商标信息 114 条,专利信息 1706 条,拥有行政许可 88 个。中微半导体设备(上海)股份有限公司近期专利情况如下:
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