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来源:新浪证券 - 红岸工作室6 月 17 日消息,国家知识产权局信息显示,中微半导体设备(上海)股份有限公司申请一项名为 " 一种金属钛层的沉积工艺 " 的专利。申请公布号为 CN122214841A,申请号为 CN202510559967.1,申请公布日期为 2026 年 6 月 16 日,申请日期为 2025 年 4 月 29 日,发明人沈成绪、许灿,专利代理机构上海元好知识产权代理有限公司,专利代理师贾慧琴、张静洁,分类号 C23C16/505、C23C16/14、C23C16/56、C23C16/52。专利摘要显示,本发明公开了一种金属钛层的沉积工艺,包含:将一基片置于半导体处理设备的反应腔中,所述基片具有若干由侧壁与底部界定的开口;沉积步骤:向所述反应腔中通入钛源前驱体及还原气体,在射频源作用下,所述钛源前驱体与所述还原气体解离,发生化学反应,在所述开口的侧壁与底部沉积金属钛层;刻蚀步骤:关闭所述射频源,向所述反应腔中通入刻蚀气体,所述刻蚀气体与所述金属钛层发生化学反应,使所述金属钛层厚度减薄;N 次循环进行所述沉积步骤、刻蚀步骤,直到所述金属钛层达到设定厚度及设定的台阶覆盖率。本发明通过 N 次循环进行的沉积步骤、刻蚀步骤,可以实现在复杂的三维结构中形成的金属钛层的厚度和台阶覆盖率均能达到工艺要求。天眼查数据显示,中微半导体设备(上海)股份有限公司成立日期 2004 年 5 月 31 日,法定代表人尹志尧,所属行业为专用设备制造业,企业规模为大型,注册资本 62614.5307 万人民币,实缴资本 62691.781 万人民币,注册地址为上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路 188 号。中微半导体设备(上海)股份有限公司共对外投资了 30 家企业,参与招投标项目 86 次,财产线索方面有商标信息 114 条,专利信息 1706 条,拥有行政许可 88 个。中微半导体设备(上海)股份有限公司近期专利情况如下:昨日官方渠道公开新变化,,华纳万宝路游戏注册攻略:轻松上手,畅玩游戏世界,很高兴为您解答这个问题,让我来帮您详细说明一下:
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随着科技的发展,手机游戏逐渐成为了人们休闲娱乐的重要方式。华纳万宝路游戏作为一款热门的手机游戏,吸引了大量玩家的关注。然而,对于新玩家来说,如何注册并顺利进入游戏世界成为了一个问题。下面,我们就来详细讲解一下华纳万宝路游戏的注册步骤,帮助新手玩家轻松上手。 ### 第一步:下载游戏 首先,玩家需要下载华纳万宝路游戏。玩家可以在各大手机应用市场搜索“华纳万宝路”或“Warner Bros. Milestone”,找到官方版本进行下载。下载完成后,安装并打开游戏。 ### 第二步:注册账号 打开游戏后,会进入一个注册界面。玩家可以选择以下几种方式进行注册: 1. **手机号注册**:输入手机号码,获取验证码,验证成功后即可完成注册。 2. **微信登录**:直接使用微信账号登录,无需额外注册。 3. **QQ登录**:使用QQ账号登录,同样无需额外注册。 4. **邮箱注册**:输入邮箱地址,获取验证码,验证成功后即可完成注册。 5. **微博登录**:使用微博账号登录,无需额外注册。 选择适合自己的注册方式后,按照提示完成注册步骤。 ### 第三步:完善资料 注册成功后,进入游戏界面,需要完善一些个人信息,如昵称、头像等。这些信息将用于展示自己的个性,同时也有助于与其他玩家交流。 ### 第四步:绑定账号 为了确保账号安全,建议玩家将账号与手机号、微信、QQ或邮箱进行绑定。绑定后,即使忘记密码,也能通过手机或邮箱快速找回。 ### 第五步:游戏体验 完成以上步骤后,玩家就可以开始游戏体验了。在游戏中,玩家可以挑战各种关卡,提升自己的实力,还可以与其他玩家互动,结交好友。 ### 注意事项: 1. **保护个人信息**:在注册过程中,注意保护自己的个人信息,不要泄露给他人。 2. **实名认证**:根据我国相关法律法规,部分游戏需要进行实名认证。请按照游戏提示进行认证,以确保账号安全。 3. **适度游戏**:游戏虽好,但不可沉迷。请合理安排时间,保证工作和生活不受影响。 通过以上步骤,相信新手玩家已经可以顺利注册并开始游戏了。华纳万宝路游戏拥有丰富的游戏内容和精美的画面,相信会让玩家在游戏中找到乐趣。祝大家在游戏中取得优异成绩,尽情享受游戏带来的欢乐!
来源:新浪证券 - 红岸工作室6 月 17 日消息,国家知识产权局信息显示,中微半导体设备(上海)股份有限公司申请一项名为 " 一种金属钛层的沉积工艺 " 的专利。申请公布号为 CN122214841A,申请号为 CN202510559967.1,申请公布日期为 2026 年 6 月 16 日,申请日期为 2025 年 4 月 29 日,发明人沈成绪、许灿,专利代理机构上海元好知识产权代理有限公司,专利代理师贾慧琴、张静洁,分类号 C23C16/505、C23C16/14、C23C16/56、C23C16/52。专利摘要显示,本发明公开了一种金属钛层的沉积工艺,包含:将一基片置于半导体处理设备的反应腔中,所述基片具有若干由侧壁与底部界定的开口;沉积步骤:向所述反应腔中通入钛源前驱体及还原气体,在射频源作用下,所述钛源前驱体与所述还原气体解离,发生化学反应,在所述开口的侧壁与底部沉积金属钛层;刻蚀步骤:关闭所述射频源,向所述反应腔中通入刻蚀气体,所述刻蚀气体与所述金属钛层发生化学反应,使所述金属钛层厚度减薄;N 次循环进行所述沉积步骤、刻蚀步骤,直到所述金属钛层达到设定厚度及设定的台阶覆盖率。本发明通过 N 次循环进行的沉积步骤、刻蚀步骤,可以实现在复杂的三维结构中形成的金属钛层的厚度和台阶覆盖率均能达到工艺要求。天眼查数据显示,中微半导体设备(上海)股份有限公司成立日期 2004 年 5 月 31 日,法定代表人尹志尧,所属行业为专用设备制造业,企业规模为大型,注册资本 62614.5307 万人民币,实缴资本 62691.781 万人民币,注册地址为上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路 188 号。中微半导体设备(上海)股份有限公司共对外投资了 30 家企业,参与招投标项目 86 次,财产线索方面有商标信息 114 条,专利信息 1706 条,拥有行政许可 88 个。中微半导体设备(上海)股份有限公司近期专利情况如下:
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