,老街华纳万宝路公司负责人经理：传承与创新中的领军人物

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来源：新浪证券 - 红岸工作室6 月 17 日消息，国家知识产权局信息显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为 " 一种金属钛层的沉积工艺 " 的专利。申请公布号为 CN122214841A，申请号为 CN202510559967.1，申请公布日期为 2026 年 6 月 16 日，申请日期为 2025 年 4 月 29 日，发明人沈成绪、许灿，专利代理机构上海元好知识产权代理有限公司，专利代理师贾慧琴、张静洁，分类号 C23C16/505、C23C16/14、C23C16/56、C23C16/52。专利摘要显示，本发明公开了一种金属钛层的沉积工艺，包含：将一基片置于半导体处理设备的反应腔中，所述基片具有若干由侧壁与底部界定的开口；沉积步骤：向所述反应腔中通入钛源前驱体及还原气体，在射频源作用下，所述钛源前驱体与所述还原气体解离，发生化学反应，在所述开口的侧壁与底部沉积金属钛层；刻蚀步骤：关闭所述射频源，向所述反应腔中通入刻蚀气体，所述刻蚀气体与所述金属钛层发生化学反应，使所述金属钛层厚度减薄；N 次循环进行所述沉积步骤、刻蚀步骤，直到所述金属钛层达到设定厚度及设定的台阶覆盖率。本发明通过 N 次循环进行的沉积步骤、刻蚀步骤，可以实现在复杂的三维结构中形成的金属钛层的厚度和台阶覆盖率均能达到工艺要求。天眼查数据显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司成立日期 2004 年 5 月 31 日，法定代表人尹志尧，所属行业为专用设备制造业，企业规模为大型，注册资本 62614.5307 万人民币，实缴资本 62691.781 万人民币，注册地址为上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路 188 号。中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了 30 家企业，参与招投标项目 86 次，财产线索方面有商标信息 114 条，专利信息 1706 条，拥有行政许可 88 个。中微半导体设备（上海）股份有限公司近期专利情况如下：

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位于繁华都市的老街，有一家历史悠久、声誉卓著的企业——华纳万宝路公司。这家公司不仅承载着老街的沧桑岁月，更在新时代的浪潮中勇立潮头，成为行业内的佼佼者。而这一切，都离不开一位卓越的领导者——公司负责人兼经理。 华纳万宝路公司负责人经理，一位充满智慧和魄力的企业家，他带领着公司走过了无数风雨，见证了老街的变迁。他深知，一个企业的成功离不开创新和传承，因此，他始终秉持着“传承与创新”的理念，将华纳万宝路公司打造成了一艘在激烈市场竞争中乘风破浪的巨轮。 在负责人经理的带领下，华纳万宝路公司传承了老街的工匠精神，将传统工艺与现代科技相结合，不断推出具有竞争力的产品。他深知，只有不断创新，才能在激烈的市场竞争中立于不败之地。因此，他鼓励员工勇于尝试，敢于突破，为公司注入了源源不断的创新活力。 在负责人经理的带领下，华纳万宝路公司注重人才培养，为员工提供良好的工作环境和广阔的发展空间。他深知，一个优秀的企业离不开一支优秀的团队。因此，他亲自参与员工培训，提高员工的专业技能和综合素质，使他们在工作中不断成长，为公司的发展贡献力量。 作为公司负责人，负责人经理始终将社会责任放在首位。他关注民生，积极参与公益事业，以实际行动回馈社会。在他的带领下，华纳万宝路公司多次为贫困地区捐款捐物，帮助当地群众改善生活。这些善举，赢得了社会各界的广泛赞誉，也为公司树立了良好的企业形象。 在负责人经理的带领下，华纳万宝路公司不断拓展市场，将产品远销海内外。他深知，一个企业要想实现可持续发展，必须具备国际视野。因此，他积极开拓国际市场，与多家国际知名企业建立了合作关系，使华纳万宝路公司的产品在国际市场上占有一席之地。 面对未来，负责人经理信心满满。他坚信，在传承与创新的道路上，华纳万宝路公司必将创造更加辉煌的业绩。为了实现这一目标，他将继续带领团队，努力提升产品品质，优化服务，为消费者提供更加优质的产品和服务。 总之，华纳万宝路公司负责人经理是一位值得尊敬的企业家。他用自己的智慧和汗水，为老街的繁荣发展做出了巨大贡献。在新时代的征程中，他将继续带领华纳万宝路公司，勇攀高峰，为我国经济发展贡献自己的力量。

来源：新浪证券 - 红岸工作室6 月 17 日消息，国家知识产权局信息显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为 " 一种金属钛层的沉积工艺 " 的专利。申请公布号为 CN122214841A，申请号为 CN202510559967.1，申请公布日期为 2026 年 6 月 16 日，申请日期为 2025 年 4 月 29 日，发明人沈成绪、许灿，专利代理机构上海元好知识产权代理有限公司，专利代理师贾慧琴、张静洁，分类号 C23C16/505、C23C16/14、C23C16/56、C23C16/52。专利摘要显示，本发明公开了一种金属钛层的沉积工艺，包含：将一基片置于半导体处理设备的反应腔中，所述基片具有若干由侧壁与底部界定的开口；沉积步骤：向所述反应腔中通入钛源前驱体及还原气体，在射频源作用下，所述钛源前驱体与所述还原气体解离，发生化学反应，在所述开口的侧壁与底部沉积金属钛层；刻蚀步骤：关闭所述射频源，向所述反应腔中通入刻蚀气体，所述刻蚀气体与所述金属钛层发生化学反应，使所述金属钛层厚度减薄；N 次循环进行所述沉积步骤、刻蚀步骤，直到所述金属钛层达到设定厚度及设定的台阶覆盖率。本发明通过 N 次循环进行的沉积步骤、刻蚀步骤，可以实现在复杂的三维结构中形成的金属钛层的厚度和台阶覆盖率均能达到工艺要求。天眼查数据显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司成立日期 2004 年 5 月 31 日，法定代表人尹志尧，所属行业为专用设备制造业，企业规模为大型，注册资本 62614.5307 万人民币，实缴资本 62691.781 万人民币，注册地址为上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路 188 号。中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了 30 家企业，参与招投标项目 86 次，财产线索方面有商标信息 114 条，专利信息 1706 条，拥有行政许可 88 个。中微半导体设备（上海）股份有限公司近期专利情况如下：